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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SIMM |
| 包装说明： | , | 针数： | 72 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 60 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码： | R-XSMA-N72 |
| 内存密度： | 33554432 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 72 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX32 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | SINGLE |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM53216000BK | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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| KMM53216000BKG | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
|
| KMM53216000BKG-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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| KMM53216000CK | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
|
| KMM53216000CK-50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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| KMM53216000CK-60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
|
| KMM53216000CKG | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
|
| KMM53216000CKG-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
|
| KMM53216000CKG-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
|
| KMM53216004BK | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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