生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | SIMM, SSIM72 | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.75 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 60 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 72 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | SIMM | 封装等效代码: | SSIM72 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 最大待机电流: | 0.008 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.88 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM53216000CK | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216000CK-50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CK-60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CKG | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216000CKG-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CKG-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004BK | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216004BK-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004BK-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216004BKG | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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