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KMM5321200BW/BWG-7

更新时间: 2023-01-02 16:04:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 282K
描述
Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72

KMM5321200BW/BWG-7 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM,针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:1048576 words
字数代码:1000000组织:1MX32
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:SIMM
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:NO LEAD端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

KMM5321200BW/BWG-7 数据手册

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