生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | SIMM, SSIM72 | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
备用内存宽度: | 16 | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 72 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | SIMM |
封装等效代码: | SSIM72 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
座面最大高度: | 19.05 mm | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.002 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | SINGLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM5321204C2W | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
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KMM5321204C2WG | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
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KMM53216000BK | SAMSUNG |
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16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216000BKG | SAMSUNG |
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16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216000BKG-6 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CK | SAMSUNG |
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16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216000CK-50 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CK-60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CKG | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216000CKG-5 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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