生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | SIMM, SSIM72 | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.81 |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | 备用内存宽度: | 16 |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 72 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | SIMM | 封装等效代码: | SSIM72 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 1024 | 座面最大高度: | 19.05 mm |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.32 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM5321204AW-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM5321204C2W | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
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KMM5321204C2WG | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base) |
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KMM53216000BK | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216000BKG | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216000BKG-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CK | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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KMM53216000CK-50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CK-60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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KMM53216000CKG | SAMSUNG |
获取价格 |
16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V |
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