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KMM5321204AW-6

更新时间： 2024-11-11 15:36:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	210K
描述
EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

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KMM5321204AW-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SSIM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.81
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	备用内存宽度：	16
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XSMA-N72
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	72
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	SIMM	封装等效代码：	SSIM72
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	19.05 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM5321204AW-7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5321204C2W	SAMSUNG	获取价格	1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base)
KMM5321204C2WG	SAMSUNG	获取价格	1Mx32 DRAM SIMM (1MX16 Base)
KMM53216000BK	SAMSUNG	获取价格	16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53216000BKG	SAMSUNG	获取价格	16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53216000BKG-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM53216000CK	SAMSUNG	获取价格	16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53216000CK-50	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM53216000CK-60	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM53216000CKG	SAMSUNG	获取价格	16M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V