生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | , | 针数: | 72 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.82 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | 备用内存宽度: | 16 |
JESD-30 代码: | R-XSMA-N72 | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 72 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM5321000AW-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX32, 80ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5321000AWG-6 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5321000AWG-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX32, 80ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5321000BV-6 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5321000BV-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5321000W-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5321000WG-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5321000WG-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX32, 80ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5321200AW-6 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 | |
KMM5321200AW-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72 |