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KMM466S823BT3-F0

更新时间: 2024-11-21 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 260K
描述
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS

KMM466S823BT3-F0 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.56
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N144内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:144字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:26.67 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.008 A子类别:DRAMs
最大压摆率:1.08 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KMM466S823BT3-F0 数据手册

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