生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, DIMM144,32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.56 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDMA-N144 | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度: | 64 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM144,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 26.67 mm | 自我刷新: | YES |
最大待机电流: | 0.008 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 1.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM466S823DT2-F0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466S823DT2-G0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466S824BT2-F0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS | |
KMM47 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES | |
KMM47 | KEXIN |
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Zener Diodes | |
KMM48 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES | |
KMM48257-12 | SAMSUNG |
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Nibble Mode DRAM, 256KX8, 120ns, MOS | |
KMM49 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES | |
KMM5 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES | |
KMM5.1 | KEXIN |
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Zener Diodes |