生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIMM, DIMM144,32 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 8 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 83 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDMA-N144 |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 端子数量: | 144 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX64 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIMM |
封装等效代码: | DIMM144,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 29.21 mm | 最大待机电流: | 0.016 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.92 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM466S803AT2-F8 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, PDMA144 | |
KMM466S823BT2-F0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS | |
KMM466S823BT2-FL | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS | |
KMM466S823BT3-F0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS | |
KMM466S823DT2-F0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466S823DT2-G0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS, SODIMM-144 | |
KMM466S824BT2-F0 | SAMSUNG |
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Synchronous DRAM Module, 8MX64, 7ns, CMOS | |
KMM47 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES | |
KMM47 | KEXIN |
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Zener Diodes | |
KMM48 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES |