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KMM466S803AT2-F2

更新时间: 2024-11-21 21:13:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 772K
描述
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, PDMA144

KMM466S803AT2-F2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:8 ns最大时钟频率 (fCLK):83 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N144
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:64端子数量:144
字数:8388608 words字数代码:8000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:29.21 mm最大待机电流:0.016 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.92 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KMM466S803AT2-F2 数据手册

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