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KMM466F804CS1-L-6 PDF预览

KMM466F804CS1-L-6

更新时间： 2024-02-01 09:09:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 449K
描述
8MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA144

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KMM466F804CS1-L-6 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/SELF/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-XDMA-N144
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE
内存宽度：64功能数量：1
端口数量：1端子数量：144
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX64
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子位置：DUALBase Number Matches：1

KMM466F804CS1-L-6 数据手册

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DRAM MODULE  
KMM466F804CS1-L  
KMM466F804CS1-L EDO Mode  
8M x 64 DRAM SODIMM Using 4Mx16, 4K Refresh 3.3V, Low power/Self-Refresh  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
The Samsung KMM466F804CS1-L is a 8Mx64bits Dynamic  
RAM high density memory module. The Samsung  
KMM466F804CS1-L consists of eight CMOS 4Mx16bits  
DRAMs in TSOP 400mil packages and a 2K EEPROM in 8-  
pin TSSOP package mounted on a 144-pin glass-epoxy sub-  
strate. A 0.1uF decoupling capacitor is mounted on the  
printed circuit board for each DRAM. The KMM466F804CS1-  
L is a Small Out-line Dual in-line Memory Module and is  
intended for mounting into 144 pin edge connector sockets.  
• Part Identification  
- KMM466F804CS1-L(4096 cycles/128ms, TSOP, L-ver)  
• Extended Data Out Mode Operation  
• New JEDEC standard proposal with EEPROM  
• Serial Presense Detect with EEPROM  
• CAS-before-RAS Refresh capability  
• Self -refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• LVTTL compatible inputs and outputs  
• Single +3.3V±0.3V power supply  
PERFORMANCE RANGE  
• PCB : Height(1000mil), double sided component  
Speed  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
20ns  
25ns  
-5  
84ns  
104ns  
-6  
PIN CONFIGURATIONS  
PIN NAMES  
Pin Name  
A0 to A11  
DQ0 - DQ63  
W
Function  
Pin Front Pin Back Pin Front Pin Back Pin Front Pin Back  
Address Inputs  
Data In/Out  
SS  
SS  
1
3
V
2
4
6
8
V
49 DQ13 50 DQ45 97 DQ22 98 DQ54  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ32 51 DQ14 52 DQ46 99 DQ23 100 DQ55  
DQ33 53 DQ15 54 DQ47 101 VCC 102 VCC  
DQ34 55  
Read/Write Enable  
Output Enable  
5
7
OE  
VSS  
56  
VSS  
103  
A6  
A8  
104  
A7  
RAS0, RAS1  
CAS0 - CAS7  
VCC  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Power(+3.3V)  
9
11  
DQ3 10 DQ35 57 RSVD 58 RSVD 105  
12  
106 A11  
VCC  
VCC  
59 RSVD 60 RSVD 107 VSS 108  
RFU 62 RFU 109 A9 110  
64 111 A10 112  
RFU 66  
68  
69 RAS0 70  
23 CAS0 24 CAS4 71 RAS1 72  
VSS  
NC  
NC  
13 DQ4 14 DQ36 61  
15 DQ5 16 DQ37 63  
17 DQ6 18 DQ38 65  
19 DQ7 20 DQ39 67  
VCC  
VCC  
VSS  
Ground  
RFU 113 VCC 114 VCC  
RFU 115 CAS2 116 CAS6  
RFU 117 CAS3 118 CAS7  
RFU 119 VSS 120 Vss  
RFU 121 DQ24 122 DQ56  
NC  
No Connection  
Serial Address / Data I/O  
Serial Clock  
W
SDA  
21  
VSS  
22  
VSS  
SCL  
25 CAS1 26 CAS5 73  
OE  
VSS  
74  
76  
RSVD  
Reserved Use  
27  
29  
31  
33  
35  
VCC  
A0  
28  
30  
32  
34  
36  
VCC  
A3  
75  
VSS  
123 DQ25 124 DQ57  
RFU  
Reserved for Future Use  
77 RSVD 78 RSVD 125 DQ26 126 DQ58  
79 RSVD 80 RSVD 127 DQ27 128 DQ59  
A1  
A4  
A2  
A5  
81  
VCC  
82  
VCC  
129 VCC 130 VCC  
VSS  
VSS  
83 DQ16 84 DQ48 131 DQ28 132 DQ60  
37 DQ8 38 DQ40 85 DQ17 86 DQ49 133 DQ29 134 DQ61  
39 DQ9 40 DQ41 87 DQ18 88 DQ50 135 DQ30 136 DQ62  
41 DQ10 42 DQ42 89 DQ19 90 DQ51 137 DQ31 138 DQ63  
43 DQ11 44 DQ43 91  
45 46 93 DQ20 94 DQ52 141 SDA 142 SCL  
47 DQ12 48 DQ44 95 DQ21 96 DQ53 143 VCC 144 VCC  
VSS  
92  
VSS  
139 VSS 140 Vss  
VCC  
VCC  
1234567...20

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与KMM466F804CS1-L-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KMM466S104BT-F2 SAMSUNG

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 		DRAM Module, 1MX64, 8ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144
KMM466S104BT-F8 SAMSUNG

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 		DRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144
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