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KMM466S104BT-F2

更新时间： 2024-02-27 15:02:41

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	467K
描述
DRAM Module, 1MX64, 8ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144

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KMM466S104BT-F2 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	BURST AND FAST PAGE	最长访问时间：	8 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX; SEATED HGT-NOM	最大时钟频率 (fCLK)：	83 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDMA-N144
长度：	67.6 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	25.4 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.64 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3.81 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM466S104BT-F8	SAMSUNG	获取价格	DRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144
KMM466S1723AT2-F0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS
KMM466S1723AT2-G0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS
KMM466S1724BT2-F0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS
KMM466S1724BT2-G0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS
KMM466S404BT-FL	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 6ns, CMOS
KMM466S424BT-F0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS
KMM466S424CT-F0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS
KMM466S424CT-F00	SAMSUNG	获取价格	DRAM Module, 4MX64, CMOS, SODIMM-144
KMM466S424DT-F0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7ns, CMOS