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KMM466F803BS2-L5

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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KMM466F803BS2-L5 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN /SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0024 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM466F803BS2-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS
KMM466F804AS1-L5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, PDMA144
KMM466F804AS1-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, PDMA144
KMM466F804BS1-L5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F804CS1-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144
KMM466F804CS1-L-6	SAMSUNG	获取价格	8MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA144
KMM466S104BT-F2	SAMSUNG	获取价格	DRAM Module, 1MX64, 8ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144
KMM466S104BT-F8	SAMSUNG	获取价格	DRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144
KMM466S1723AT2-F0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS
KMM466S1723AT2-G0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS