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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM144,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 50 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDMA-N144 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 端子数量： | 144 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX64 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM144,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.0024 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.604 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KMM466F804AS1-L6 | SAMSUNG | EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, PDMA144 |
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| KMM466F804BS1-L5 | SAMSUNG | EDO DRAM Module, 8MX64, 50ns, CMOS, SODIMM-144 |
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| KMM466F804CS1-L6 | SAMSUNG | EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, SODIMM-144 |
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| KMM466F804CS1-L-6 | SAMSUNG | 8MX64 EDO DRAM MODULE, 60ns, DMA144 |
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| KMM466S104BT-F2 | SAMSUNG | DRAM Module, 1MX64, 8ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144 |
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| KMM466S104BT-F8 | SAMSUNG | DRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, PDMA144, GLASS, SODIMM-144 |
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