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KM23V4100DG

更新时间： 2024-11-25 20:02:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	192K
描述
MASK ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO40, 0.525 INCH, SOP-40

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KM23V4100DG 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP40,.56
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 256K X 16; CAN ALSO OPERATE AT 3V TO 3.6V SUPPLY	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	25.65 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	40
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP40,.56	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.8 mm
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	MASK ROMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.67 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM23V4100DG-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO40, 0.525 INCH, SOP-40
KM23V4200D	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDIP40
KM23V4200D-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
KM23V4200D-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
KM23V4200D-15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 256KX16, 150ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40
KM23V64000AG-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23V64000ATY	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 8MX8, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V64000ATY-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V64000ATY-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V64000B-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42