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KM23V64000T-12

更新时间: 2024-11-21 19:49:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 161K
描述
MASK ROM, 8MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

KM23V64000T-12 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.84
最长访问时间:120 ns其他特性:CONFIGURABLE AS 4M X 16
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:18.41 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:MASK ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:44字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

KM23V64000T-12 数据手册

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