是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 200 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 41.91 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | MASK ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | MASK ROMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM23V8000C-20 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDIP32 | |
KM23V8000C-25 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDIP32 | |
KM23V8000CG-15 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32 | |
KM23V8000CG-20 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32 | |
KM23V8000CG-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDSO32 | |
KM23V8000D-10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32 | |
KM23V8000D-12 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32 | |
KM23V8000DG-10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
KM23V8001B-30 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
KM23V8100B-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 |