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KM23V8000B-20

更新时间: 2024-11-21 18:37:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

KM23V8000B-20 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP32,.6针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.92
最长访问时间:200 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0长度:41.91 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:MASK ROM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.00005 A子类别:MASK ROMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

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