5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 300 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 41.91 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | MASK ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.03 A |
| 子类别： | MASK ROMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM23V8100B-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 |
|
| KM23V8100B-30 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42 |
|
| KM23V8100BG-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
|
| KM23V8100BG-30 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44 |
|
| KM23V8100C-20 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 200ns, CMOS, PDIP42 |
|
| KM23V8100C-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 250ns, CMOS, PDIP42 |
|
| KM23V8100CG-15 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 150ns, CMOS, PDSO44 |
|
| KM23V8100CG-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 250ns, CMOS, PDSO44 |
|
| KM23V8100CT-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 250ns, CMOS, PDSO44 |
|
| KM23V8100D | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
