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KM23V8100D

更新时间： 2024-11-25 21:00:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	196K
描述
MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

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KM23V8100D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP42,.6
针数：	42	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 512K X 16; CAN ALSO OPERATE AT 3V TO 3.6V SUPPLY	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDIP-T42	JESD-609代码：	e0
长度：	52.42 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	42
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP42,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.00003 A	子类别：	MASK ROMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM23V8100DG	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23V8105D	SAMSUNG	获取价格	8M-Bit (1Mx8 /512Kx16) CMOS MASK ROM
KM23V8105DET-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V8105DET-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V8105DG	SAMSUNG	获取价格	8M-Bit (1Mx8 /512Kx16) CMOS MASK ROM
KM23V8105DG-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23V8105DT-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V8105G	SAMSUNG	获取价格	8M-Bit (1Mx8 /512Kx16) CMOS MASK ROM
KM-23YC	KINGBRIGHT	获取价格	SOT-23 SURFACE MOUNT LED LAMP
KM-23YD	KINGBRIGHT	获取价格	SOT-23 SURFACE MOUNT LED LAMP