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KM23V8000CG-20

更新时间: 2024-11-21 20:55:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 265K
描述
MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32

KM23V8000CG-20 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:200 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
湿度敏感等级:3端子数量:32
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00005 A
子类别:MASK ROMs最大压摆率:0.03 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

KM23V8000CG-20 数据手册

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