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KM23V8000D-10

更新时间： 2024-02-15 23:06:09

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	89K
描述
MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32

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KM23V8000D-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
长度：	41.91 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

KM23V8000D-10 数据手册

KM23V8000D(G)

CMOS MASK ROM

8M-Bit (1Mx8) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· 1,048,576 x 8 bit organization

· Fast access time

3.3V Operation : 100ns(Max.)

3.0V Operation : 120ns(Max.)

· Supply voltage :single +3.0V/ single +3.3V

· Current consumption

Operating : 30mA(Max.)

Standby : 30mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The KM23V8000D(G) is a fully static mask programmable ROM

organized 1,048,576 x 8 bit. It is fabricated using silicon gate

CMOS process technology.

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

The KM23V8000D is packaged in

KM23V8000DG in a 32-SOP.

a 32-DIP and the

· Package

-. KM23V8000D : 32-DIP-600

-. KM23V8000DG : 32-SOP-525

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A19

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

A19

A16

A15

A12

VCC

(1,048,576x8)

DECODER

31 A18

A17

A14

A13

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DECODER

DIP

A11

SOP

. .

23 A10

CONTROL

LOGIC

VSS

19 Q5

Pin Name

A0 - A19

Q0 - Q7

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Power

KM23V8000D(G)

VCC

VSS

Ground

12 3 4

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与KM23V8000D-10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM23V8000D-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32
KM23V8000DG-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
KM23V8001B-30	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
KM23V8100B-25	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
KM23V8100B-30	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-42
KM23V8100BG-25	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44
KM23V8100BG-30	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, PLASTIC, SOP-44
KM23V8100C-20	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 200ns, CMOS, PDIP42
KM23V8100C-25	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 250ns, CMOS, PDIP42
KM23V8100CG-15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 150ns, CMOS, PDSO44

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