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KM23V4200D-10

更新时间: 2024-11-25 20:09:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 122K
描述
MASK ROM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, DIP-40

KM23V4200D-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP40,.6
针数:40Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
其他特性:TTL COMPATIBLE I/OJESD-30 代码:R-PDIP-T40
JESD-609代码:e0长度:52.42 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:MASK ROM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP40,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.00003 A
子类别:MASK ROMs最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

KM23V4200D-10 数据手册

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