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KM23V64000BG-12

更新时间： 2024-11-25 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	72K
描述
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44

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KM23V64000BG-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	CONFIGURABLE AS 4M X 16	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	28.5 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	12.6 mm
Base Number Matches：	1

KM23V64000BG-12 数据手册

Advance Information

KM23V64000BG

CMOS MASK ROM

64M-Bit (8Mx8 /4Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

8,388,608 x 8(byte mode)

4,194,304 x 16(word mode)

· Fast access time

3.3V Operation : 100ns(Max.)

3.0V Operation : 120ns(Max.)

· Supply voltage : single +3.3V/ single +3.0V

· Current consumption

The KM23V64000BG is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 8,388,608 x 8 bit(byte mode) or as

4,194,304 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

Operating : 40mA(Max.)

Standby : 50mA(Max.)

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The KM23V64000BG is packaged in a 44-SOP.

· Package

-. KM23V64000BG : 44-SOP-600

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A21

MEMORY CELL

MATRIX

(4,194,304x16/

8,388,608x8)

A21

A18

A20

BUFFERS

AND

DECODER

A19

A17

A10

A11

38 A12

37 A13

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DECODER

A14

A15

SOP

A16

A-1

BHE

VSS

Q15/A-1

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

29 Q14

28 Q6

BHE

Q13

Q2 19

Q10 20

25 Q12

Pin Name

A0 - A21

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

Q11

VCC

Q0 - Q14

KM23V64000BG

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power

VCC

VSS

Ground

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM23V64000BT	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44
KM23V64000BT-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V64000T-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 8MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V64005ATY	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 8MX8, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V64005BF	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PBGA48
KM23V64005BF-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP, BGA-48
KM23V64005BF-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP, BGA-48
KM23V64005BT-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V64205ASG	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO70, 0.500 INCH, SSOP-70
KM23V8000B-20	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

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