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KM23V64000B-12

更新时间： 2024-01-20 19:51:20

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	73K
描述
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

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KM23V64000B-12 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	42
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T42
长度：	52.42 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	42
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

KM23V64000B-12 数据手册

Advance Information

KM23V64000B

CMOS MASK ROM

64M-Bit (4Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

4,194,304 x 16(word mode)

· Fast access time

The KM23V64000B is a fully static mask programmable ROM

organized 4,194,304x16 bit. It is fabricated using silicon-gate

CMOS process technology.

3.3V Operation : 100ns(Max.)

3.0V Operation : 120ns(Max.)

· Supply voltage : single +3.3V/ single +3.0V

· Current consumption

Operating : 40mA(Max.)

· Fully static operation

This device operates with a low power supply, and all inputs

and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

The KM23V64000B is packaged in a 42-DIP

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

· Package

-. KM23V64000B : 42-DIP-600

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A21

MEMORY CELL

MATRIX

(4,194,304x16)

BUFFERS

AND

DECODER

A18

A19

A17

40 A9

A10

A11

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DECODER

37 A12

A13

A14

A15

. .

A16

DIP

A21

VSS

32 A20

31 VSS

Q15

CONTROL

LOGIC

Q15

Q14

Pin Name

A0 - A21

Q0 - Q15

Pin Function

Address Inputs

Q13

Q10

24 Q12

Data Outputs

Output Enable

Power

22 VCC

Q11

VCC

VSS

Ground

KM23V64000B

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM23V64000BG-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
KM23V64000BT	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44
KM23V64000BT-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V64000T-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 8MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
KM23V64005ATY	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 8MX8, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48
KM23V64005BF	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PBGA48
KM23V64005BF-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP, BGA-48
KM23V64005BF-12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP, BGA-48
KM23V64005BT-10	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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