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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP40,.6 |
| 针数： | 40 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 150 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T40 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 52.195 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | MASK ROM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP40,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.00003 A | 子类别： | MASK ROMs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM23V64000AG-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 |
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| KM23V64000ATY | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 8MX8, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48 |
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| KM23V64000ATY-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48 |
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| KM23V64000ATY-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48 |
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| KM23V64000B-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 4MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 |
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| KM23V64000B-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 |
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| KM23V64000BG-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 |
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| KM23V64000BT | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44 |
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| KM23V64000BT-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 4MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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| KM23V64000T-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 8MX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
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