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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSSOP, TSSOP66,.46 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 300 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 最高工作温度： | 65 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP66,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 2.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.52 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.635 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4D551638F-TC36 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit GDDR SDRAM |
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| K4D551638F-TC360 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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| K4D551638F-TC36T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| K4D551638F-TC40 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit GDDR SDRAM |
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| K4D551638F-TC40T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66, |
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| K4D551638F-TC50 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit GDDR SDRAM |
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| K4D551638F-TC500 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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| K4D551638F-TC50T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66, |
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| K4D551638F-TC60 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit GDDR SDRAM |
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| K4D551638F-TC600 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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