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K4D551638F-TC60T

更新时间： 2024-11-23 15:35:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
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16页	206K
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DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,

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K4D551638F-TC60T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	66	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.35 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4D551638F-TC60T 数据手册

256M GDDR SDRAM

K4D551638F-TC

256Mbit GDDR SDRAM

Revision 2.1

April 2005

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D551638H-LC40	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D551638H-LC400	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D551638H-LC50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D551638H-LC500	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D553235F-GC	SAMSUNG	获取价格	256M GDDR SDRAM
K4D553235F-GC20	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
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K4D553235F-GC220	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
K4D553235F-GC25	SAMSUNG	获取价格	256M GDDR SDRAM
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