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K4D553235F-GC25

更新时间： 2024-11-22 22:13:31

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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256M GDDR SDRAM

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K4D553235F-GC25 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA144,12X12,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	湿度敏感等级：	1
端子数量：	144	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	8MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA144,12X12,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
连续突发长度：	2,4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.368 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4D553235F-GC25 数据手册

256M GDDR SDRAM

K4D553235F-GC

256Mbit GDDR SDRAM

Revision 1.6

March 2005

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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K4D553238E-JC400	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
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