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K4D553238E-JC50

更新时间: 2024-11-19 21:16:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 295K
描述
DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144

K4D553238E-JC50 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA, BGA144,12X12,32
针数:144Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.92访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:S-PBGA-B144
JESD-609代码:e0长度:12 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:65 °C
最低工作温度:组织:8MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装等效代码:BGA144,12X12,32
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.4 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.625 V最小供电电压 (Vsup):2.375 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:12 mm
Base Number Matches:1

K4D553238E-JC50 数据手册

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256M DDR SDRAM  
K4D553238E-JC  
256Mbit DDR SDRAM  
2M x 32Bit x 4 Banks  
Double Data Rate Synchronous DRAM  
with Bi-directional Data Strobe and DLL  
(144-Ball FBGA)  
Revision 1.1  
May 2003  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
- 1 -  
Rev. 1.1 (May. 2003)  

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