是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LFBGA, BGA144,12X12,32 |
针数: | 144 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | S-PBGA-B144 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 12 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 65 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装等效代码: | BGA144,12X12,32 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.4 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4D553238E-JC500 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 | |
K4D553238F | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit GDDR SDRAM | |
K4D553238F-EC2A0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 | |
K4D553238F-EC330 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 | |
K4D553238F-EC360 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 | |
K4D553238F-EC400 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 | |
K4D553238F-EC500 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 | |
K4D553238F-GC | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit GDDR SDRAM | |
K4D553238F-GC2A | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mbit GDDR SDRAM | |
K4D553238F-GC2A0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |