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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FBGA, BGA144,12X12,32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B144 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 端子数量： | 144 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 最高工作温度： | 65 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA144,12X12,32 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 子类别： | DRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4D553238F-VC2A0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 |
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| K4D55323QF-GC25 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144 |
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| K4D55323QF-GC2A | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144 |
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| K4D55323QF-GC33 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144 |
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| K4D55323QF-VC22 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144 |
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| K4D55323QF-VC2A | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144 |
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| K4D55323QF-VC33 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144 |
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| K4D55323QF-VC36 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144 |
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| K4D623237A-QC550 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
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| K4D623237A-QC600 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
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