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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | TQFP, TQFP100,.7X.9 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.86 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.75 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 182 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 65 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX32 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TQFP | 封装等效代码： | TQFP100,.7X.9 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, THIN PROFILE |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.06 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.65 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4D623238B-QC60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
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| K4D62323HA-QC50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
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| K4D62323HA-QC50T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100 |
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| K4D62323HA-QC55 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
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| K4D62323HA-QC55T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100 |
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| K4D62323HA-QC60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
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| K4D62323HA-QC70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
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| K4D64163HE-TC40 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 4MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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| K4D64163HE-TC400 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 4MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
|
| K4D64163HE-TC45 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
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