Datasheet > 存储 > DRAM> K4D64163HF-TC50

K4D64163HF-TC50

更新时间： 2024-11-19 21:55:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
16页	164K
描述
1M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4D64163HF-TC50 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.32 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4D64163HF-TC50 数据手册

64M DDR SDRAM

K4D64163HF

64Mbit DDR SDRAM

1M x 16Bit x 4 Banks

Double Data Rate Synchronous DRAM

Revision 1.1

August 2002

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev. 1.1(Aug. 2002)

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

与K4D64163HF-TC50相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D64163HF-TC60	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM
K4-DBTC-75L	MINI	获取价格	DIRECTIONAL COUPLERS
K4-DBTC-75L+	MINI	获取价格	DIRECTIONAL COUPLERS
K4E151611	SAMSUNG	获取价格	1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E151611C-J4500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42
K4E151611C-J6000	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42
K4E151611C-JC450	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42,
K4E151611C-JL45	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
K4E151611C-JL450	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42,
K4E151611C-JL50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42