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K4D64163HE-TC550

更新时间: 2024-01-25 00:43:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 233K
描述
DDR DRAM, 4MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

K4D64163HE-TC550 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:66
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G66
长度:22.22 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:65 °C最低工作温度:
组织:4MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4D64163HE-TC550 数据手册

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Target  
64M DDR SDRAM  
K4D64163HE  
64Mbit DDR SDRAM  
1M x 16Bit x 4 Banks  
Double Data Rate Synchronous RAM  
Revision 0.2  
October 2001  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
- 1 -  
Rev. 0.2(Oct. 2001)  

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