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K4D62323HA-QC55

更新时间： 2024-01-19 03:24:33

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
48页	1030K
描述
DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100

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K4D62323HA-QC55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	TQFP, TQFP100,.7X.9
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	183 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	100
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TQFP	封装等效代码：	TQFP100,.7X.9
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8,FP
最大待机电流：	0.06 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.43 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K4D62323HA-QC55 数据手册

64M DDR SDRAM

K4D62323HA

64Mbit DDR SDRAM

512K x 32Bit x 4 Banks

Double Data Rate Synchronous DRAM

with Bi-directional Data Strobe and DLL

Revision 1.1

February 2001

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev. 1.1 (Feb. 2001)

12 3 4 5 6 7...48

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K4D62323HA-QC70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
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K4D64163HE-TC45	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
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