是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FBGA, BGA144,12X12,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | 最长访问时间: | 0.55 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 350 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B144 | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 32 |
湿度敏感等级: | 3 | 端子数量: | 144 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
最高工作温度: | 65 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | FBGA |
封装等效代码: | BGA144,12X12,32 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 连续突发长度: | 4 |
子类别: | DRAMs | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4D55323QF-VC33 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144 | |
K4D55323QF-VC36 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144 | |
K4D623237A-QC550 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 | |
K4D623237A-QC600 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 | |
K4D623237A-QC700 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 | |
K4D623238B-GC | SAMSUNG |
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64Mbit DDR SDRAM | |
K4D623238B-GC/L33 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM | |
K4D623238B-GC/L40 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM | |
K4D623238B-GC/L45 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM | |
K4D623238B-GC/L50 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM |