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K4D55323QF-VC33

更新时间: 2024-02-24 10:52:13
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 286K
描述
DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144

K4D55323QF-VC33 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FBGA, BGA144,12X12,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84最长访问时间:0.55 ns
最大时钟频率 (fCLK):300 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-PBGA-B144内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:32
湿度敏感等级:3端子数量:144
字数:8388608 words字数代码:8000000
最高工作温度:65 °C最低工作温度:
组织:8MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA144,12X12,32封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096连续突发长度:4
子类别:DRAMs标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

K4D55323QF-VC33 数据手册

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256M GDDR SDRAM  
K4D55323QF-GC  
256Mbit GDDR SDRAM  
2M x 32Bit x 4 Banks  
Graphic Double Data Rate  
Synchronous DRAM  
with Bi-directional Data Strobe  
(144-Ball FBGA)  
Revision 1.1  
May 2004  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
- 1 -  
Rev 1.1 (May. 2004)  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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