Datasheet > K4D623238B-GL60

K4D623238B-GL60

更新时间： 2024-11-19 20:46:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	298K
描述
DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4D623238B-GL60 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数：	144	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.89	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.75 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
JESD-609代码：	e0	长度：	12 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	2MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA144,12X12,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.4 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8,FP
最大待机电流：	0.065 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.67 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

K4D623238B-GL60 数据手册

64M DDR SDRAM

K4D623238B-GC

64Mbit DDR SDRAM

512K x 32Bit x 4 Banks

Double Data Rate Synchronous RAM

with Bi-directional Data Strobe and DLL

(144-Ball FBGA)

Revision 1.6

January 2003

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev. 1.6 (Jan. 2003)

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与K4D623238B-GL60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D623238B-QC50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
K4D623238B-QC55	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
K4D623238B-QC60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
K4D62323HA-QC50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
K4D62323HA-QC50T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100
K4D62323HA-QC55	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
K4D62323HA-QC55T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100
K4D62323HA-QC60	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
K4D62323HA-QC70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 0.75ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
K4D64163HE-TC40	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 4MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

与K4D623238B-GL60相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4D623238B-GL60

K4D623238B-GL60 技术参数

K4D623238B-GL60 数据手册

与K4D623238B-GL60相关器件

与K4D623238B-GL60相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4D623238B-GL60

K4D623238B-GL60 技术参数

K4D623238B-GL60 数据手册

与K4D623238B-GL60相关器件

与K4D623238B-GL60相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？