5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | TQFP, |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.91 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.5 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 65 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX32 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TQFP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4D623237A-QC600 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
|
| K4D623237A-QC700 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100 |
|
| K4D623238B-GC | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D623238B-GC/L33 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D623238B-GC/L40 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D623238B-GC/L45 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D623238B-GC/L50 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D623238B-GC/L55 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D623238B-GC/L60 | SAMSUNG |
获取价格 |
64Mbit DDR SDRAM |
|
| K4D623238B-GC33 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 2MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
