Datasheet > K4D553238F-VC2A0

K4D553238F-VC2A0

更新时间： 2024-11-19 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	390K
描述
DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4D553238F-VC2A0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	144	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.55 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	JESD-609代码：	e1
长度：	12 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	8MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

K4D553238F-VC2A0 数据手册

256M GDDR SDRAM

K4D553238F

256Mbit GDDR SDRAM

Revision 1.4

February 2006

Notice

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.4 Feb. 2006

- 1 -

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与K4D553238F-VC2A0相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D55323QF-GC25	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144
K4D55323QF-GC2A	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144
K4D55323QF-GC33	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144
K4D55323QF-VC22	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144
K4D55323QF-VC2A	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144
K4D55323QF-VC33	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144
K4D55323QF-VC36	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144
K4D623237A-QC550	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
K4D623237A-QC600	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
K4D623237A-QC700	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100

与K4D553238F-VC2A0相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4D553238F-VC2A0

K4D553238F-VC2A0 技术参数

K4D553238F-VC2A0 数据手册

与K4D553238F-VC2A0相关器件

与K4D553238F-VC2A0相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4D553238F-VC2A0

K4D553238F-VC2A0 技术参数

K4D553238F-VC2A0 数据手册

与K4D553238F-VC2A0相关器件

与K4D553238F-VC2A0相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？