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K4D553235F-GC33

更新时间： 2024-11-22 22:13:31

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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256M GDDR SDRAM

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K4D553235F-GC33 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA144,12X12,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.88
最长访问时间：	0.55 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	300 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	1	端子数量：	144
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	8MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA144,12X12,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	2,4,8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.314 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K4D553235F-GC33 数据手册

256M GDDR SDRAM

K4D553235F-GC

256Mbit GDDR SDRAM

Revision 1.6

March 2005

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EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

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K4D553235F-VC220	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144
K4D553238E-JC400	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
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K4D553238E-JC500	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
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