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K4D553238F-JC400

更新时间: 2024-01-29 03:02:20
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 297K
描述
DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144

K4D553238F-JC400 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:LFBGA,
针数:144Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.4访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:S-PBGA-B144长度:12 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:144
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:65 °C
最低工作温度:组织:8MX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFBGA
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):240认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.625 V最小供电电压 (Vsup):2.375 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:12 mmBase Number Matches:1

K4D553238F-JC400 数据手册

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256M GDDR SDRAM  
K4D553238F-JC  
256Mbit GDDR SDRAM  
2M x 32Bit x 4 Banks  
Graphic Double Data Rate  
Synchronous DRAM  
with Bi-directional Data Strobe and DLL  
(144-Ball FBGA)  
Revision 1.0  
March 2004  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
- 1 -  
Rev 1.0 (Mar. 2004)  

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DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100