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K4D553238E-JC400

更新时间: 2024-11-19 20:56:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 296K
描述
DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144

K4D553238E-JC400 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:LFBGA,针数:144
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.4
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:S-PBGA-B144
长度:12 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:144字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:65 °C最低工作温度:
组织:8MX32封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.625 V最小供电电压 (Vsup):2.375 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM宽度:12 mm
Base Number Matches:1

K4D553238E-JC400 数据手册

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256M GDDR SDRAM  
K4D553238E-JC  
256Mbit GDDR SDRAM  
2M x 32Bit x 4 Banks  
Graphic Double Data Rate  
Synchronous DRAM  
with Bi-directional Data Strobe and DLL  
(144-Ball FBGA)  
Revision 1.3  
August 2003  
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
- 1 -  
Rev. 1.3 (Aug. 2003)  

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