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K4D553235F-VC200

更新时间： 2024-02-28 19:33:45

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	281K
描述
DDR DRAM, 8MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144

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K4D553235F-VC200 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	144	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.35 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	JESD-609代码：	e1
长度：	12 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	8MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.1 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.9 V
标称供电电压 (Vsup)：	2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

Target Spec

256M GDDR SDRAM

K4D553235F-GC

256Mbit GDDR SDRAM

2M x 32Bit x 4 Banks

Graphic Double Data Rate

Synchronous DRAM

with Bi-directional Data Strobe and DLL

(144-Ball FBGA)

Revision 0.1

June 2004

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev 0.1 (June 2004)

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D553235F-VC22	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144
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