是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LFBGA, BGA144,12X12,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.35 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 500 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | S-PBGA-B144 |
长度: | 12 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM | 内存宽度: | 32 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 144 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 65 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装等效代码: | BGA144,12X12,32 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.4 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 2.1 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4D553235F-GC22 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 | |
K4D553235F-GC220 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 | |
K4D553235F-GC25 | SAMSUNG |
获取价格 |
256M GDDR SDRAM | |
K4D553235F-GC2A | SAMSUNG |
获取价格 |
256M GDDR SDRAM | |
K4D553235F-GC33 | SAMSUNG |
获取价格 |
256M GDDR SDRAM | |
K4D553235F-VC200 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 | |
K4D553235F-VC22 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 | |
K4D553235F-VC220 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 | |
K4D553238E-JC400 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 | |
K4D553238E-JC50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |