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K4D553235F-GC220

更新时间： 2024-11-19 20:08:35

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K4D553235F-GC220 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	144	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B144	长度：	12 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	8MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.1 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.9 V
标称供电电压 (Vsup)：	2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

256M GDDR SDRAM

K4D553235F-GC

256Mbit GDDR SDRAM

2M x 32Bit x 4 Banks

Graphic Double Data Rate

Synchronous DRAM

with Bi-directional Data Strobe and DLL

(144-Ball FBGA)

Revision 1.1

December 2004

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev 1.1 (Dec. 2004)

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D553235F-GC25	SAMSUNG	获取价格	256M GDDR SDRAM
K4D553235F-GC2A	SAMSUNG	获取价格	256M GDDR SDRAM
K4D553235F-GC33	SAMSUNG	获取价格	256M GDDR SDRAM
K4D553235F-VC200	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144
K4D553235F-VC22	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144
K4D553235F-VC220	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144
K4D553238E-JC400	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
K4D553238E-JC50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
K4D553238E-JC500	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
K4D553238F	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM