是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSSOP, TSSOP66,.46 |
针数: | 66 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.6 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 250 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 65 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP66,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.6 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.35 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.6 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4D551638H-LC50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 | |
K4D551638H-LC500 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 | |
K4D553235F-GC | SAMSUNG |
获取价格 |
256M GDDR SDRAM | |
K4D553235F-GC20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 | |
K4D553235F-GC22 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 | |
K4D553235F-GC220 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 | |
K4D553235F-GC25 | SAMSUNG |
获取价格 |
256M GDDR SDRAM | |
K4D553235F-GC2A | SAMSUNG |
获取价格 |
256M GDDR SDRAM | |
K4D553235F-GC33 | SAMSUNG |
获取价格 |
256M GDDR SDRAM | |
K4D553235F-VC200 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, FBGA-144 |