是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSSOP, TSSOP66,.46 |
针数: | 66 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.91 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 65 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP66,.46 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 2,4,8 |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.35 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4D551638F-TC60T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66, |
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K4D551638H-LC40 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
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K4D551638H-LC400 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
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K4D551638H-LC50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
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K4D551638H-LC500 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
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K4D553235F-GC | SAMSUNG |
获取价格 |
256M GDDR SDRAM |
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K4D553235F-GC20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |
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K4D553235F-GC22 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |
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K4D553235F-GC220 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |
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K4D553235F-GC25 | SAMSUNG |
获取价格 |
256M GDDR SDRAM |
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