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K4D551638F-TC50

更新时间： 2024-09-22 22:36:35

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
16页	208K
描述
256Mbit GDDR SDRAM

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K4D551638F-TC50 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	端子数量：	66
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.38 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

Target Spec

256M GDDR SDRAM

K4D551638F-TC

256Mbit GDDR SDRAM

4M x 16Bit x 4 Banks

Graphic Double Data Rate

Synchronous DRAM

Revision 1.7

June 2004

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev 1.7 (June 2004)

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D551638F-TC500	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D551638F-TC50T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4D551638F-TC60	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638F-TC600	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D551638F-TC60T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4D551638H-LC40	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D551638H-LC400	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D551638H-LC50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D551638H-LC500	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D553235F-GC	SAMSUNG	获取价格	256M GDDR SDRAM