K4D551638F-TC36

更新时间： 2024-11-18 22:36:35

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K4D551638F-TC36 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
最大时钟频率 (fCLK)：	275 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	66	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.515 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

Target Spec

256M GDDR SDRAM

K4D551638F-TC

256Mbit GDDR SDRAM

4M x 16Bit x 4 Banks

Graphic Double Data Rate

Synchronous DRAM

Revision 1.7

June 2004

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev 1.7 (June 2004)

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D551638F-TC360	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D551638F-TC36T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4D551638F-TC40	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638F-TC40T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4D551638F-TC50	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638F-TC500	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D551638F-TC50T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4D551638F-TC60	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638F-TC600	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D551638F-TC60T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,