Datasheet > K4D551638F-TC50T

K4D551638F-TC50T

更新时间： 2024-11-19 15:35:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	206K
描述
DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K4D551638F-TC50T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
端子数量：	66	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.6 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.38 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4D551638F-TC50T 数据手册

256M GDDR SDRAM

K4D551638F-TC

256Mbit GDDR SDRAM

Revision 2.1

April 2005

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev 2.1 (Apr. 2005)

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

与K4D551638F-TC50T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D551638F-TC60	SAMSUNG	获取价格	256Mbit GDDR SDRAM
K4D551638F-TC600	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D551638F-TC60T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66,
K4D551638H-LC40	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D551638H-LC400	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D551638H-LC50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D551638H-LC500	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
K4D553235F-GC	SAMSUNG	获取价格	256M GDDR SDRAM
K4D553235F-GC20	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.35ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
K4D553235F-GC22	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 8MX32, 0.45ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144

与K4D551638F-TC50T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

44

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4D551638F-TC50T

K4D551638F-TC50T 技术参数

K4D551638F-TC50T 数据手册

与K4D551638F-TC50T相关器件

与K4D551638F-TC50T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K4D551638F-TC50T

K4D551638F-TC50T 技术参数

K4D551638F-TC50T 数据手册

与K4D551638F-TC50T相关器件

与K4D551638F-TC50T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？