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JMTG170N06A

更新时间： 2024-11-24 14:54:39

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捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
6页	358K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTG170N06A 数据手册

JMTG170N06A

Description

JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 60V,40A

 Load Switch

R_DS(ON)<15mΩ @ V_GS= 10V

 PWM Application

 Power management

R_DS(ON)<21mΩ @ V_GS= 4.5V

 Advanced Trench Technology

 Provide Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

PDFN5x6-8L

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Per

Carton

(PCS)

Reel

Size

Reel

Device Marking

G170N06A

Device

OUTLINE

Device Package

(PCS)

JMTG170N06A

TAPING

PDFN5x6-8L

13inch

2500

25000

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

T_C= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^note1

T_C= 100℃

I_DM

EAS

P_D

160

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

Power Dissipation

T_C= 25℃

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

Operating and Storage Temperature Range

℃/W

℃

T_J, T_STG

-55 to +150

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.1

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