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JMTG3005B

更新时间: 2024-11-27 17:01:31
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捷捷微 - JJM /
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7页 1266K
描述
低压 N-ch (≤ 30V )

JMTG3005B 数据手册

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30V, 72A, 5.5mΩ N-channel Power Trench MOSFET  
JMTG3005B  
Product Summary  
Features  
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  
100% UIS TESTED  
Parameters  
VDSS  
Value  
30  
Unit  
V
100% ΔVds TESTED  
VGS(th)_Typ  
1.6  
72  
V
Halogen-free; RoHS-compliant  
Pb-free plating  
ID(@VGS=10V)  
RDS(ON)_Typ(@VGS=10V  
RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V  
A
3.9  
5.5  
mW  
mW  
Applications  
Load Switch  
PWM Application  
Power Management  
D
S
G
Schematic Diagram  
PDFN5X6-8L  
Pin Assignment  
Ordering Information  
Device  
Per Carton  
Package  
Marking  
MSL  
Form  
Reel(pcs)  
(pcs)  
JMTG3005B  
PDFN5x6-8L  
TG3005  
1
Tape&Reel  
5000  
50000  
Absolute Maximum Ratings (@ TC = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Value  
Symbol  
Unit  
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
30  
V
V
±20  
TC = 25°C  
72  
ID  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current (1)  
A
TC = 100°C  
51  
Refer to Fig.4  
102  
IDM  
A
Single Pulsed Avalanche Energy (2)  
TC = 25°C  
TC = 100°C  
Junction & Storage Temperature Range  
EAS  
mJ  
81  
PD  
Power Dissipation  
W
32  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Ambient(3)  
Max  
38  
Symbol  
Unit  
RθJA  
°C
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
1.5  
All product information is copyrighted and subject to legal disclaimers.  
REV 1.0 | 1/7  

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